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金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器
簡(jiǎn)要描述：我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。
產(chǎn)品型號(hào)：- 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
- 更新時(shí)間：2025-08-13
- 訪(fǎng) 問(wèn) 量：3819
詳情介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 加工定制 | 否 |
金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器
概述
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。
技術(shù)規(guī)格
型號(hào) |
工作電壓 |
耗盡區(qū)厚度 μm | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測(cè)器 （Am-241 面源） 真空下測(cè)量能量分辯率 1.2? | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測(cè)器 （Am-241 面源） 真空下測(cè)量峰道址202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.0~4.9? | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.2~4.9? | 189-191 |
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